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ERP實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)要點(diǎn)

時(shí)間：2011-06-24 09:54:35
來源：勤思考研網(wǎng)
點(diǎn)擊數(shù)：

　　因變量：峰值，平均波幅，潛伏期，RT，頭皮分布，正確率

　　自變量：左右半球，前后半球

　　所以實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)的自變量不超過2~3因素

　　注意：

　　足夠多的疊加次數(shù)：每個(gè)條件至少35+，60合適，任務(wù)難：100個(gè)

　　要觀察的成分的特點(diǎn)：P1，P3

　　數(shù)據(jù)的質(zhì)量

　　正確率

　　總實(shí)驗(yàn)的長度

　　刺激呈現(xiàn)時(shí)間的設(shè)定：

　　在滿足實(shí)驗(yàn)?zāi)康牡那闆r下盡量縮短時(shí)間

　　刺激間隔：SOA，ISI，ITI

　　常見刺激類型：沒記到啊==b

　　視角：A=360/2π * r/d ≈ 57.3 * r/d （r：屏長，d=被試~顯示屏距離）

　　ERP成分介紹2

　　命名：根據(jù)（正-P/負(fù)-N）+ 出現(xiàn)的順序/潛伏期

　　分類：潛伏期：早、中、晚成分

　　物理或心理意義：外源性成分vs 內(nèi)源性成分

　　腦電成分：RP，N400，P600

　　RP：recognition potential prof. Alan P. Rudell 1990

　　有可識別的視覺刺激誘發(fā)的200~300ms的負(fù)電位

　　視覺刺激的可辨認(rèn)性是誘發(fā)RP的必要條件

　　RP出現(xiàn)的條件：

　　RP的出現(xiàn)與視覺刺激的可辨認(rèn)性有關(guān)，與刺激的屬性無關(guān)，如發(fā)光強(qiáng)度，視網(wǎng)膜面積，呈現(xiàn)時(shí)間，字體，重復(fù)性等

　　可以是字詞，也可以是圖畫

　　誘發(fā)RP的實(shí)驗(yàn)范式：

　　在一般刺激呈現(xiàn)方式中，不論刺激能否被識別，都會在500ms內(nèi)誘發(fā)一系列波幅較高的VEP晚成分（VEP-視覺誘發(fā)成分），快速刺激系列法可減弱VEP晚成分而分離出RP

　　快速刺激序列法：前幾個(gè)刺激不可識別，每個(gè)257ms，幾個(gè)疊加過了VEP。當(dāng)快速呈現(xiàn)刺激時(shí)，VEP更顯著的減弱，一系列不可識別刺激連續(xù)快速呈現(xiàn)引起ERP是一個(gè)系列的波幅很小的節(jié)律性波動。此時(shí)將可識別刺激穿插與其中呈現(xiàn)，由于背景……（后面沒記到，大家自由發(fā)揮吧）

　　RP的影響因素：

　　1 刺激的物理特征對RP的影響：增加刺激落在視網(wǎng)膜上的面積使RP波幅增大，降低刺激的清晰度則延長RP的潛伏期；改變刺激的呈現(xiàn)位置會影響RP的頭皮分布：視野上-枕葉下；視野下-枕葉上

　　2 RP與語義加工的關(guān)系：

　　RP的波幅隨著刺激接近真字的程度的增長而逐漸增加，并在刺激時(shí)真字時(shí)達(dá)到最大值；對隨機(jī)字母串，符合正字法的字母串和真字的敏感性說明RP可能對語義加工敏感。

　　內(nèi)容詞誘發(fā)RP在左右半球分布對稱（動名詞）；功能詞誘發(fā)RP在左半球有優(yōu)勢（介連詞）

　　3 可識別刺激與北京刺激見差異對RP的影響：真字為可識別刺激，分別以假字、非字和亂碼為背景進(jìn)行實(shí)驗(yàn)，RP隨著真字與背景之間差異的增大而增高

　　4 情緒狀態(tài)對RP的影響：相對于中性情緒，情緒狀態(tài)下RP波的波幅減小，潛伏期變短

　　RP的發(fā)生源：頂枕部電極處 PO7，PO8（外側(cè)紋狀體底部，梭狀回和舌回）

　　N400

　　Kutas等1980年發(fā)現(xiàn)，潛伏期在300~600ms之間的負(fù)波

　　N400和語義加工：以詞語為實(shí)驗(yàn)材料也會得到N400，語音和語義啟動都會使N400潛伏期和波幅減少

　　N400的影響因素：單詞呈現(xiàn)的速度

　　單詞的重復(fù)

　　單詞在句子當(dāng)中的位置

　　單詞的類型

　　年齡因素

　　N400的發(fā)生源：中央頂部電極處，發(fā)生源靠近中央回，包括前梭狀回以及旁海馬回

　　N400的實(shí)質(zhì)：詞匯通達(dá)或者心理表征的自動激活；語義整合的詞匯后加工；兩種加工都存在

　　P600

　　Prof. Lee Osterhout 1992年發(fā)現(xiàn)，潛伏期在500~1000ms的正波，分布在中央頂部電極處，它可能與句法加工有關(guān)。

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